Transistor a canale N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor a canale N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.73€
5-24
2.30€
25-49
2.02€
50-99
1.80€
100+
1.50€
Quantità in magazzino: 44

Transistor a canale N IRFP150, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2800pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 1100pF. Diodo Trr (min.): 220 ns. ID (min): 25uA. Id(imp): 160A. Marcatura sulla cassa: IRFP150. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51

Documentazione tecnica (PDF)
IRFP150
29 parametri
ID (T=100°C)
29A
ID (T=25°C)
41A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.55 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247AC
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2800pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
1100pF
Diodo Trr (min.)
220 ns
ID (min)
25uA
Id(imp)
160A
Marcatura sulla cassa
IRFP150
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
230W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
HEXFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
25
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier