Transistor a canale N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Alloggiamento: TO-247. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1900pF. Carica: 73.3nC, 110nC. Condizionamento: tubus. Costo): 450pF. DRUCE CORRENTE: 30A, 39A. Diodo Trr (min.): 180 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 140A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Polarità: unipolari. Potenza: 160W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Resistenza termica abitativa: 1.1K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: 100V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:51