Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: saldatura P...
MJE3055T
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V
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MJ15016-ONS
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Cus...
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