Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE3055T-FAI

MJE3055T-FAI
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5 - 9 0.88€ 1.07€
10 - 24 0.84€ 1.02€
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MJE3055T-FAI. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220A...
MJE3055T
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE3055T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T
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