IRF3205S

IRF3205S. C(in): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 69 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia di processo avanzata". Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250nA. ID (min): 25nA. Equivalenti: IRF3205SPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.