MJE2955T

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1 - 4	0.70€	0.85€
5 - 9	0.66€	0.81€
10 - 24	0.63€	0.77€
25 - 49	0.59€	0.72€
50 - 99	0.58€	0.71€
100 - 249	0.57€	0.70€
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Set da 1

MJE2955T. Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -70V. C(in): -10A. Costo): 90W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

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MJE2955T-CDIL

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori ...

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