Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE2955T. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/08/2025, 14:08.

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MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Cus...
MJE2955T-CDIL
Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
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