Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T-CDIL. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Cdil. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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MJE2955T

MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Cus...
MJE2955T
Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
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MJE3055T
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IRF3205S

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Transistor a canale N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=...
IRF3205S
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LM317HVT

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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente massima in uscita (A): 1.5A. Custodi...
LM317HVT
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CCAP100NF275V

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Tensione CC: 560V. Capacità: 100nF. Tensione CA: 275V. Tipo: MKP X2. Materiale del condensatore: fi...
CCAP100NF275V
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POT-4W-5-0K

POT-4W-5-0K

Resistenza: 5k Ohms. Piedinatura: connessioni a saldare sul cavo. Numero di canali: 1. Tipo di resis...
POT-4W-5-0K
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POT-4W-5-0K
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AOD405

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Transistor a canale P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (...
AOD405
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2N2219A

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Transistor NPN, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO...
2N2219A
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PWR5W-0R15

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PWR5W-0R15
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MJE340

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Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Alloggiamento: ...
MJE340
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