Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE2955T-CDIL

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5 - 9 0.71€ 0.87€
10 - 24 0.67€ 0.82€
25 - 49 0.63€ 0.77€
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MJE2955T-CDIL. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -70V. C(in): -10A. Costo)...
MJE2955T
Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -70V. C(in): -10A. Costo): 90W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE2955T
Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -70V. C(in): -10A. Costo): 90W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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