2N2219A

2N2219A. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 25pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.