Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56€ | 0.68€ |
5 - 9 | 0.53€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.50€ | 0.61€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.57€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.54€ |
100 - 122 | 0.42€ | 0.51€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56€ | 0.68€ |
5 - 9 | 0.53€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.50€ | 0.61€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.57€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.54€ |
100 - 122 | 0.42€ | 0.51€ |
MMBT4403LT1G. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Marcatura sulla cassa: 2T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.
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