Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.23€ | 0.28€ |
250 - 499 | 0.23€ | 0.28€ |
500 - 815 | 0.22€ | 0.27€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.23€ | 0.28€ |
250 - 499 | 0.23€ | 0.28€ |
500 - 815 | 0.22€ | 0.27€ |
AO3400A. C(in): 630pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 16.8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione o PWM. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 5.7A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 22m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21.5 ns. Td(acceso): 3.2 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.
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