MMD50R380P

MMD50R380P. C(in): 702pF. Costo): 357pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 256ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Marcatura sulla cassa: 50R380. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 59.6ns. Td(acceso): 15.2ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: Bassa perdita di potenza dovuta alla commutazione ad alta velocità e alla bassa resistenza in conduzione. Funzione: Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC-CC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 07:25.