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MPSA13

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Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
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Set da 5

MPSA13. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 07:25.

Prodotti equivalenti :

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MPSA14

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MH...
MPSA14
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Corrente del collettore: 500mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA14
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Corrente del collettore: 500mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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