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TIP35C

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TIP35C. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Data di produzione: 1450. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 125W. Frequenza massima: 3MHz. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP36C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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BD249C-PMC

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A...
BD249C-PMC
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C
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