AP4800CGM

AP4800CGM. C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Ids: 10uA. Idss (massimo): 10.4A. Marcatura sulla cassa: 4800C G M. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 17 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: Convertitore DC/DC a commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.