Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD249C-PMC

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5 - 9 2.64€ 3.22€
10 - 24 2.50€ 3.05€
25 - 49 2.37€ 2.89€
50 - 86 2.31€ 2.82€
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BD249C-PMC. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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TIP35C

TIP35C

Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. F...
TIP35C
Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Data di produzione: 1450. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 125W. Frequenza massima: 3MHz. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP36C
TIP35C
Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Data di produzione: 1450. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Potenza: 125W. Frequenza massima: 3MHz. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP36C
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TIP36C

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TIP36C
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2N5401

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2N5401
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2N5551

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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Cost...
2N5551
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2N5551
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2SB649A

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Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE...
2SB649A
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2SB649A
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NJM4558D

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Funzione: amplificatore operazionale. Nota: OP-IC. Nota: 158 series. Numero di terminali: 8:1. RoHS:...
NJM4558D
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2.45€ IVA incl.
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MPSA14

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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MH...
MPSA14
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Quantità in magazzino : 238
TIP41C

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Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza compleme...
TIP41C
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Quantità in magazzino : 633
ICG-08P

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Unità di condizionamento: Tubo da 8 pezzi. Varie: contatti di precisione. Materiale del rivestiment...
ICG-08P
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Quantità in magazzino : 1012
BC560C

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Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: h...
BC560C
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BC560C
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