Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC560C

BC560C
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1 - 1 1.01€ 1.23€
2 - 2 0.96€ 1.17€
3 - 4 0.91€ 1.11€
5 - 9 0.86€ 1.05€
10 - 24 0.81€ 0.99€
25 - 49 0.76€ 0.93€
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BC560C. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 380. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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BC560CG

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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatu...
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC550C
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