Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPB32N03L

SPB32N03L
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SPB32N03L. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 32A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1
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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v
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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v
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