AOD403

AOD403. C(in): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 0.01uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.