AP9575AGH

AP9575AGH. C(in): 1440pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 43 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 0.064 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziata". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.