Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD442

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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
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10 - 24 0.43€ 0.52€
25 - 49 0.40€ 0.49€
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BD442. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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BD442F

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del...
BD442F
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: custodia isolata. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: custodia isolata. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD442
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AP88N30W

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C(in): 8440pF. Costo): 1775pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns...
AP88N30W
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AP4511GD

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Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nume...
AP4511GD
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AP4511GD
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AP9971GM

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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Marc...
AP9971GM
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3.90€ IVA incl.
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AP4800CGM

AP4800CGM

C(in): 450pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatol...
AP4800CGM
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AP4525GEH

AP4525GEH

Tipo di canale: N-P. Funzione: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Nume...
AP4525GEH
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BD249C-PMC

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A...
BD249C-PMC
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BD433-TFK

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del...
BD433-TFK
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AP9971GD

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Tipo di canale: N. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazi...
AP9971GD
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