Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD249C

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BD249C. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.

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BD249C-PMC

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A...
BD249C-PMC
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C
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