Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2N3906

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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 0.75€ 0.92€
2 - 2 0.71€ 0.87€
3 - 4 0.67€ 0.82€
5 - 9 0.64€ 0.78€
10 - 24 0.54€ 0.66€
25 - 49 0.51€ 0.62€
50 - 435 0.47€ 0.57€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
1 - 1 0.75€ 0.92€
2 - 2 0.71€ 0.87€
3 - 4 0.67€ 0.82€
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Quantità in magazzino : 4342
Set da 10

2N3906. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare Si-epitassiale. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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