NP82N055PUG

NP82N055PUG. C(in): 6400pF. Costo): 465pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 82N055. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 142W. Rds sulla resistenza attiva: 4.1m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MP-25ZP. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 900. Spec info: transistor MOSFET. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.