Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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NTD20N06L

NTD20N06L
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NTD20N06L. C(in): 707pF. Costo): 224pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 20N6LG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.

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GJ9971

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C(in): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor con controllo a livello logico. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protezione GS: NINCS
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