AOD409

AOD409. C(in): 2977pF. Costo): 241pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 0.003uA. Marcatura sulla cassa: D409. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 32m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 07:25.