NTD20N06LT4G

NTD20N06LT4G. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N06LG. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 990pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.