NTE219

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	7.74€	9.44€
2 - 2	7.35€	8.97€
3 - 4	6.97€	8.50€
5 - 9	6.58€	8.03€
10 - 15	6.43€	7.84€

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NTE219. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.

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