Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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P30N03A

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P30N03A. C(in): 860pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. Ids: 0.1uA. Idss (massimo): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.

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