Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK1358

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2SK1358. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.6us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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