Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK3878

Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK3878. Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.4us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Protezione GS: sì. Id(imp): 27A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.