2SD600K

2SD600K. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB631K. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.