Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - PN2222A

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - PN2222A
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V - PN2222A. Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Costo): 75pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Nota: transistor complementare (coppia) 2N2907A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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