PMBT4401

PMBT4401. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.8A. Marcatura sulla cassa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementare (coppia) PMBT4401. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.