P2804BDG

P2804BDG. C(in): 790pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Ids: 1uA. Idss (massimo): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 0.03 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.8 ns. Td(acceso): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.