PSMN015-100P

PSMN015-100P. C(in): 4900pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 0.05uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: "transistor a effetto di campo in modalità potenziata". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.