Transistor a canale N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4

Transistor a canale N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4. Transistor a canale N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 360V. C(in): 85pF. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 40 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Prodotto originale del produttore Renesas Technology. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.