Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.17€ | 2.65€ |
5 - 9 | 2.06€ | 2.51€ |
10 - 24 | 1.96€ | 2.39€ |
25 - 49 | 1.85€ | 2.26€ |
50 - 55 | 1.70€ | 2.07€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.17€ | 2.65€ |
5 - 9 | 2.06€ | 2.51€ |
10 - 24 | 1.96€ | 2.39€ |
25 - 49 | 1.85€ | 2.26€ |
50 - 55 | 1.70€ | 2.07€ |
PSMN013-100BS-118. C(in): 3195pF. Costo): 221pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione standard. Id(imp): 272A. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.06uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 13.9m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52.5 ns. Td(acceso): 20.7 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK (SOT404). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.
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