RFD14N05L

RFD14N05L. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFD14N05L. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 670pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.