RFP50N06

RFP50N06. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: RFP50N06. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2020pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 131W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 50. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.