Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Q67042-S4113

Q67042-S4113
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Q67042-S4113. C(in): 2930pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 2N03L04. Pd (dissipazione di potenza, massima): 188W. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.

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IRLB8743PBF

IRLB8743PBF

C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. ...
IRLB8743PBF
C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRLB8743PBF
C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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IRLB8748PBF

IRLB8748PBF

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IRLB8748PBF
C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS
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C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS
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STP80NF55-08

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C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain...
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C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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STP80NF06

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STP80NF06
C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
STP80NF06
C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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