Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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STP80NF70

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STP80NF70. C(in): 2550pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 392A. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 80NF70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 68V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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