FDD5614P

FDD5614P. RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.