Transistor a canale P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210

Transistor a canale P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210. Transistor a canale P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 2700pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 19:25.