IRF8010S

IRF8010S. C(in): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 99 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 260W. Rds sulla resistenza attiva: 12m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.