Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V - PN2907A

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V - PN2907A
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V - PN2907A. Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 19:25.

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2N2907A-PL

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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-9...
2N2907A-PL
Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hfe 100. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V
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Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hfe 100. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 0.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V
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