RJH30H2DPK-M0

RJH30H2DPK-M0. C(in): 1200pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 23 ns. Compatibilità: Samsung PS42C450B1WXXU. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Corrente del collettore: 35A. Ic(impulso): 250A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.06 ns. Td(acceso): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PSG. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.