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RJK5010

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RJK5010. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 178W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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