SI3441BD

SI3441BD. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 1.95A. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. ID (min): 1nA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) min.: 0.45V. Numero di terminali: 6. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.