SI4410BDY-E3

SI4410BDY-E3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4410BDY. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.4W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.