SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: O4. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1275pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.