Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SI4401DY. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 45ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.

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Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 35ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): ...
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Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 35ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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